微型真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2K~500K），可升級(jí)加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作，溫度均勻性更好，溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過的硅二極管作為測(cè)溫裝置，支持光纖光譜特性測(cè)試，兼容高倍率金相顯微鏡，可微調(diào)移動(dòng)，器件的高頻特性(支持高67GHz頻率)，探針熱沉設(shè)計(jì)，LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試，自動(dòng)流量控制，材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。

　　微型真空探針臺(tái)在晶圓測(cè)試中的使用：

　　晶圓測(cè)試（Chip Probing，簡(jiǎn)稱CP），是指用探針對(duì)生產(chǎn)加工完成后的晶圓產(chǎn)品上的芯片或半導(dǎo)體元器件功能進(jìn)行測(cè)試，驗(yàn)證是否符合產(chǎn)品規(guī)格。

　　測(cè)試過程需要探針和測(cè)試機(jī)配合使用，探針臺(tái)將晶圓逐步自動(dòng)傳送至測(cè)試位置，芯片的引腳通過探針、專用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過通信接口傳送給探針臺(tái)，探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓結(jié)果映射圖（Mapping），盡可能將無(wú)效的芯片標(biāo)記出來以節(jié)約封裝費(fèi)用。

　　微型真空探針臺(tái)在成品測(cè)試中的使用：

　　成品測(cè)試（Final Test，簡(jiǎn)稱FT），又稱終測(cè)，是指對(duì)封裝完成后的芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試，保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的測(cè)試環(huán)節(jié)與成品測(cè)試環(huán)節(jié)較為相似。

　　測(cè)試過程需要分選機(jī)和測(cè)試機(jī)的配合使用，分選機(jī)將被測(cè)芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測(cè)試工位，被測(cè)芯片的引腳通過安裝在測(cè)試座上的探針與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過通信接口傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對(duì)測(cè)試芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。